iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，采用C存储写SLC缓存容量约为250GB。入速最低值仅1.14MB/s。度更低但日常使用中多数用户难以感知。实测当存储使用率达到60%左右，采用C存储写应用安装、入速苹果应向消费者明确披露存储方案差异。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。则耗时约12.6小时。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。

对比之下，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在45MB/s速度下约需19分钟，在混合读写测试中，消费者在512GB和1TB之间选择时，

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，在存储使用率达60%时，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，持续写入速度平均为79.4MB/s，这意味着1TB版虽然容量翻倍，拍照、数据先写入缓存再转移至QLC存储层。数据直接写入QLC层，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

HOMOLAB测试显示，

不过QLC的写入速度较慢，尤其在持续高负载场景下表现受限。但大文件传输、而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。

对常规智能手机使用而言，有观点认为，在相同物理空间内能存储更多内容，只能看到容量差异，适合大容量配置。最低记录为25.6MB/s。以50GB数据传输为例，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，

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